جزئیات محصول:
پرداخت:
|
| ماده: | مس تنگستن | تراکم: | 16.4 |
|---|---|---|---|
| CTE: | 7.2 | TC: | 183 |
| کاربرد: | بسته بندی الکترونیکی | ||
| برجسته: | مبدل حرارتی مس,ورق پایه مس |
||
85WCu آلیاژ تنگستن مس، بدون تکه تکه شدن خازنی برای بسته بندی الکترونیکی
شرح:
بسته بندی الکترونیکی این است که یک تابع مشخص از تراشه های مدار یکپارچه (از جمله تراشه های مدار یکپارچه نیمه هادی، زیرساخت مدار یکپارچه، تراشه های مدار یکپارچه هیبریدی) قرار داده شود که در یک ظرف پوسته مربوطه قرار می گیرد که می تواند یک محیط پایدار برای محافظت از چیپ ها به طور معمول و عملکرد پایدار را در مدار مجتمع نگه دارید. در همان زمان، encapsulation همچنین روش اتصال خروجی و ورودی برای انتقال به خارج است و می تواند یک کامپوننت کامل با تراشه ها باشد.
ماده ی گرمادهی W-Cu ترکیبی از تنگستن و مس با هر دو ویژگی تنگستن پایین است، اما دارای مس خواص هدایت گر حرارت بالا است و تنگستن و مس در ضریب انبساط حرارتی و هدایت حرارتی می تواند با W ترکیب کامو، همچنین کامپوزیت می تواند به شکل های مختلف ماشینکاری شود.
مزایای:
1. هدایت حرارتی بالا
2. هرمیتی عالی
3. مسطح بودن عالی، سطح سطح، و اندازه کنترل
4. محصولات نیمه تمام یا به پایان رسید (محصولات Ni / Au) موجود است
5. کم خالی
مشخصات محصول:
| مقطع تحصیلی | محتوای W | تراکم g / cm 3 | ضریب حرارتی Expansion × 10 -6 (20 ℃) | هدایت حرارتی W / (M · K) |
| 90WCu | 90 ± 2٪ | 17.0 | 6.5 | 180 (25 ℃) / 176 (100 ℃) |
| 85WCu | 85 ± 2٪ | 16.4 | 7.2 | 190 (25 ℃) / 183 (100 ℃) |
| 80WCu | 80 ± 2٪ | 15.65 | 8.3 | 200 (25 ℃) / 197 (100 ℃) |
| 75WCu | 75 ± 2٪ | 14.9 | 9.0 | 230 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
| 50WCu | 50 ± 2٪ | 12.2 | 12.5 | 340 (25 ℃) / 310 (100 ℃) |
کاربرد:
این کامپوزیت به طور گسترده ای در برنامه های کاربردی مانند بسته های Optoelectronics، بسته های مایکروویو، بسته های C، Sub-mounts لیزر استفاده می شود. و غیره.
عکس محصول: 
